Etude et simulation d’un dispositif HEMT pour les applications à haut débit

Abstract

Durant cette dernière décennie, Les nitrures d’éléments III tels que le GaN, l’InN, l’AIN et BN, sont entrain de connaitre un essor considérable. L’intérêt croissant pour la construction des dispositifs électroniques à Semi-conducteur pour les applications dans les domaines de la micro, de la nano et de l’optoélectronique. Notre travail consiste à simuler un transistor HEMT AlGaN/GaN, on tenant compte de toutes les grandeurs qui puissent influencer ses performances. Ainsi, nous pourrions optimizer notre dispositifDuring the last decade, the nitrides of elements III such as GaN, InN, AIN and BN, are experiencing a considerable boom. The growing interest in the construction of semiconductor electronic devices for applications in the fields of micro, nano and optoelectronics. Our work consists in simulating a transistor HEMT AlGaN/GaN, we take account of all the sizes which can influence its performances. Thus, we could optimize our device.