STUDY AND MODELING OF SUBMICRON TRIPLE MATERIAL GATE GAAS MESFET .

Abstract

إن التطور التكنولوجي الكبير الذي حققناه يتطلب عناصر أكثر كفاءة وأصغر حجما وأخفض طاقة. ففي هذه الرسالة، تم اقتراح نموذج تحليلي جديد ل GaAs MESFET ذو بوابة ثلاثية المواد، من أجل خفض آثار القناة القصيرة وتحسين أداء الترانزستور كهربائيا. ولذلك، فإن الهدف من هذا العمل هو إثبات مدى تحسن أداء GaAs MESFET ذو بوابة ثلاثية المواد كهربائيا مقارنة مع نظيريه ذو البوابة ثنائية المواد، وأيضا العادي أي ببوابة أحادية المادة. وتستند هذه المقاربة على تطوير الخصائص الكهربائية وتردد القطع للعنصر GaAs MESFET ذو بوابة ثلاثية المواد. في هذا النموذج يتم تقييم الخصائص الكهربائية وتردد القطع وكذلك تأثير طول المنطقة الثالثة للبوابة من أجل التطبيقات ذات الترددات العالية. أظهرت النتائج التي تم الحصول عليها أن GaAs MESFET ذوLe grand développement technologique que nous avons accompli nécessite des composants plus efficaces, à petite échelle et à faible puissance. Dans cette mémoire, un nouveau modèle analytique pour un GaAs MESFET de grille à Triple Matériaux (TM) a été proposé afin de supprimer les effets de canal courts et améliorer le comportement électrique de composant. Par conséquent, le but de ce travail est de démontrer les performances électriques améliorées présentées par (TM) GaAs MESFET par apport le GaAs MESFET de grille à double matériaux et le MESFET conventionnel de grille à un matériel unique. Cette approche est basée sur le développement des caractéristiques I-V, la transconductance et la fréquence de coupure de TM GaAs MESFET. Le modèle est encore étendu pour évaluer la caractéristique I-V, la transconductance et la fréquence de coupure, y compris l'effet de la troisième longueur de région pour les applications de fréquence micro-ondes. Les résultats obtenus démontrent que TM GaAs MESFET présente une solution alternative au concepteur pour les applications de haute fréquence The great technological development we have achieved requires more efficient, small-scale, and low-power components .In this memory, a new analytical model for a Triple Material Gate (TM) GaAs MESFET has been proposed in order to suppress the short channel effects and improve the electrical behavior of the device. Therefore, the aim of this work is to demonstrate the improved electrical performances exhibited by (TM) GaAs MESFET over dual material gate and conventional single material gate MESFET. This approach is based on development of I-V characteristics, transconductance and cut off frequency of TM GaAs MESFET. The model is further extended to evaluate the I-V characteristic, transconductance and cut-off frequency including the effect of third region length for microwave frequency applications. The obtained results demonstrate that TM GaAs MESFET presents an alternative solution to designer for high frequency applications. بوابة ثلاثية المواد يقدم حلا بديلا لمصممي التطبيقات عالية التردد.