دراسة انتقال الحرارة داخل هياكل الأجهزة الالكترونية متعددة المقاييس - عبد الباسط شفاح; عبير خضره; آية مصباحي; طالب علي بن ناصر (جامعة الشهيد حمه لخضر الوادي, 2024)
مع انخفاض حجم الجهاز على مقياس النانو، فإن الحرارة المتولدة تؤثر على كفاءة الجهاز .في هذه المذكرة قمنا موسفت ( MOSFET) بدراسة الانتقال الحراري داخل ترانزستور أكسيد المعدن شبه موصل ذو تأثير حقلي الذي يؤثر (p) مع تأثير معامل الانعكاسية (SiC) و مادة كربيد السيليكون (Si) المعتمدة على مادة السيليكون أظهرت النتائج أن الجهاز . (LBM) على التوصيل الحراري للجهاز، وذلك باستخدام طريقة شبكة بولتزمان المعتمد على كربيد السيليكون أقل حرارة من الجهاز المعتمد على السيليكون، كما أن زيادة معامل الانعكاسية له تأثير إيجابي على خفض درجة حرارة الأجهزة الإلكترونية. As the size of the device decreases on the nanoscale, the heat generated influences the efficiency of the device. In this work, we studied the heat transfer within a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) based on silicon (Si) and silicon carbide (SiC) with the effect of the specularity parameter (p) which influences the thermal conductivity of the device using the lattice Boltzmann method (LBM). The results showed that the device based on silicon carbide has less heat than the device based on silicon, and increasing the specularity coefficient has a positive effect on reducing the temperature of electronic devices.
Mémoire de Master spécialisé en énergie
Keywords: موسفت؛ انتقال الحرارة ؛ طريقة شبكة بولتزمان ؛ سيليكون؛ كربيد السيليكون; MOSFET; Heat transfer; Lattice Boltzmann method; silicon; silicon carbide.